MOS管散熱片與EMC的關(guān)系
在電子電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，很多情況下都要考慮EMC的問(wèn)題。在設(shè)計(jì)中使用MOS管時(shí)，在添加散熱片時(shí)可能會(huì)出現(xiàn)一種比較糾結(jié)的情況。當(dāng)MOS管的EMC通過(guò)時(shí)，散熱片需要接地，而在散熱片不接地的情況下，EMC是無(wú)法通過(guò)的。那么為何會(huì)出現(xiàn)這種現(xiàn)象呢？
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，針對(duì)傳導(dǎo)可以將一些開(kāi)關(guān)輻射通過(guò)散熱器傳導(dǎo)到大地回路，減弱了走傳輸線(xiàn)，讓流通的路徑更多了。針對(duì)輻射，沒(méi)接地的散熱器不僅沒(méi)好處，反而是輻射發(fā)射源，對(duì)EMC壞處更大，同時(shí)接地了，能起到一定的屏蔽效果，所以布板時(shí)，將大電解電容用來(lái)做屏蔽用，將IC放在大電解電容下面防止干擾都是這個(gè)道理。
共模干擾
騷擾通過(guò)MOS管與散熱片寄生電容、LISN、以及L、N線(xiàn)返回到源。如果MOS管接地的話(huà)，在騷擾電壓一定的情況下，阻抗很低，騷擾電流很大，導(dǎo)致CE測(cè)試失效。
開(kāi)關(guān)管由導(dǎo)通切換為關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，脈沖變壓器分布電感儲(chǔ)存的能量，將與C1產(chǎn)生振蕩，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管C、E之間的電壓迅速上升達(dá)500V左右，形成浪涌電壓。并產(chǎn)生按開(kāi)關(guān)頻率工作的脈沖串電流，經(jīng)集電極和散熱器之間的分布電容Ci及變壓器初，次級(jí)之間的分布電容Cd返回AC線(xiàn)形成共模騷擾電流。
開(kāi)關(guān)管由關(guān)斷切換為導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，C1通過(guò)開(kāi)關(guān)管放電形成浪涌電流產(chǎn)生差模騷擾。
圖1
如圖1所示，減少開(kāi)關(guān)管集電極和散熱片之間的耦合電容Ci。可以選用低介電常數(shù)的材料作絕緣墊，加厚墊片的厚度。也可以用靜電屏蔽的方法。例如，在集電極和散熱片之間墊上一層夾心絕緣物，即絕緣物中間夾一層銅箔，作為靜電屏蔽層，并接在輸入直流OV地上，散熱片仍接機(jī)殼地，這層靜電屏蔽層將大大減小集電極和散熱片之間的電場(chǎng)耦合。
圖2
如圖2所示，即將共模干擾轉(zhuǎn)化為差模，回流的源中，不通過(guò)LISN。
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