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      6. MOSFET驅(qū)動參數(shù),最小門極電阻計算介紹
        • 發(fā)布時間:2023-01-30 15:49:03
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        • 閱讀次數(shù):
        MOSFET驅(qū)動參數(shù),最小門極電阻計算介紹
        在《IGBT以及MOSFET的驅(qū)動參數(shù)的計算方法》該應(yīng)用指南中由 Eq.6 得到了門極電流 i(t)i(t) 不振蕩的阻尼條件 Eq.7,并以此得出了電流波形不振蕩的最小門極電阻的計算公式。
        然而,該應(yīng)用指南并未講述如何推導(dǎo)出 Eq.7,故寫此文列出推導(dǎo)過程,如下:
        由 Eq.6 可知串聯(lián) RLC 電路的特征方程為:
        MOSFET 門極 電阻
        特征根為:
        MOSFET 門極 電阻
        奈培頻率為:
        MOSFET 門極 電阻
        諧振頻率為:
        MOSFET 門極 電阻
        為了保證門極電流 i(t) 不振蕩,則電流響應(yīng)應(yīng)為過阻尼,既有:
        MOSFET 門極 電阻
        綜上所述,可得:
        MOSFET 門極 電阻
        至此,Eq.7 得證。
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