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SI2312/SOT-23封裝參數(shù)：點(diǎn)擊查看
SI2312場效應(yīng)管參數(shù)具體如下：
極性：NPN
Drain-Source Voltage 漏源電壓Vds：20V
Gate-Source Voltage 柵源電壓Vgs：±12V
Continuous Drain Current 漏極電流Id Tc=25℃：5A
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=25℃：0.35W
Power Dissipation 功率損耗Pd Ta=70℃：W
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=4.5V：Typ 24mΩ Max 30mΩ
Static Drain-Source On-Resistance 導(dǎo)通電阻ID=4A,VGS=2.5V：Tpy 30mΩ Max 40mΩ
Junction and Storage Temperature Range 溫度范圍：-55~+150℃
SI2312場效應(yīng)管/SOT-23封裝尺寸：
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