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      6. MOS管與三極管區(qū)別-分析MOS管和三極管原理圖對比
        • 發(fā)布時間:2020-11-21 17:16:57
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        MOS管與三極管區(qū)別-分析MOS管和三極管原理圖對比
        MOS管和三極管原理圖對比分析
        在電路設(shè)計當中假設(shè)我們想要對電流中止控制,那就少不了三極管的幫助。我們俗稱的三極管其全稱為半導(dǎo)體三極管,它的主要作用就是將微小的信號中止放大。MOS管與三極管有著許多相近的地方,這就使得一些新手不斷無法明白兩者之間的區(qū)別,本篇文章就將為大家引見三極管和MOS管的一些不同。
        關(guān)于三極管和MOS管的區(qū)別,簡單總結(jié)了幾句話便當大家理解。
        從性質(zhì)上來說:三極管用電流控制,MOS管屬于電壓控制。
        從本錢上來說:三極管低價,MOS管貴。
        關(guān)于功耗問題:三極管損耗大。
        驅(qū)動能力上的的不同:MOS管常用于電源開關(guān)以及大電流地方開關(guān)電路。
        MOS管和三極管原理圖并不復(fù)雜,但是分開講述細節(jié),反而不如對比起來容易理解。這里用一張圖,讓您輕松理解MOS管和三極管的工作原理。
        MOS管和三極管區(qū)別
        MOS管和三極管區(qū)別原理圖
        這里以NMOS和NPN三極管為例,并且以電子流(而非電流)方向為主來說明。
        一、MOS管和三極管符號
        MOS管一般可以簡化為三個極,分別是柵極(G)源極(S)和漏極(D),MOS器件是電壓控制型器件,用柵極電壓來控制源漏的導(dǎo)通情況;
        BJT三極管有三個極,分別是基極(B)發(fā)射極(E)和集電極(C),三極管是電流控制型器件,用基極電流來控制發(fā)射極與集電極的導(dǎo)通情況;
        二、MOS管和三極管截止區(qū)
        NMOS管的如果柵壓小于閾值電壓,MOS管相當于兩個背靠背的二極管,不導(dǎo)通;
        NPN三極管也一樣,如果偏壓小于閾值電壓,也相當于兩個背靠背的二極管,不導(dǎo)通;
        三、MOS管和三極管線性區(qū)
        NMOS如果柵上加正電壓,就會在其下感應(yīng)出相反極性的負電荷,從而產(chǎn)生N型溝道,使源漏導(dǎo)通。如果不考慮源漏電壓影響,則柵壓高一點,產(chǎn)生的溝道就寬一點,導(dǎo)通能力就大一點,這就是線性區(qū)。
        NPN管如果BE結(jié)加正向偏置導(dǎo)通,電子就會進入到基區(qū)。除了被基區(qū)的P型空穴俘獲外,它們有兩個地方可以去:一個是從基極流出,一個是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓越高,能收集到的電子就會越多,這也是線性變化的。
        四、MOS管和三極管飽和區(qū)
        NMOS在漏極電壓比較高時,會使溝道夾斷,之后即使電壓升高,電流不會再升高,因此叫做飽和區(qū);
        NPN三極管在集電極電壓比較高時,也會幾乎全部收集到從發(fā)射極過來的電子,電壓再升高也沒有辦法收集到更多,也是它的飽和區(qū)。
        五、MOS管和三極管電流電壓曲線
        MOS管和三極管區(qū)別的在線性區(qū),隨著電壓升高,源漏電流或集電極電流上升。而在飽和區(qū)電壓升高,電流基本都保持不變。二者的趨勢基本一致。
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